Hoe gebruik je de ultrasone reiniger om de monokristallijne siliciumchips in de halfgeleiderindustrie schoon te maken?

Met de ontwikkeling van de halfgeleidermateriaaltechnologie worden ook hogere eisen gesteld aan de specificaties en kwaliteit van siliciumwafels, en zal de vraag naar siliciumwafels met een grote diameter die geschikt zijn voor microverwerking in de markt steeds groter worden. Halfgeleiders, chips, geïntegreerde schakelingen, ontwerp, lay-out, chips, productie en processen worden momenteel wereldwijd op grote schaal gebruikt met geavanceerde snij-, slijp-, polijst- en schone verpakkingsprocessen, waardoor aanzienlijke vooruitgang wordt geboekt in de filmproductietechnologie. De introductie van de nieuwste geavanceerde technologie heeft ertoe geleid dat de proefproductie en ontwikkeling van hoogwaardige chips zoals SOI het stadium van massaproductie zijn binnengegaan. Als reactie hierop hebben fabrikanten van siliciumwafels ook hun investeringen in apparatuur voor siliciumwafels van 300 mm verhoogd, met een verdere verfijning van de ontwerpregels. Door gebruik te maken van ultrasone reinigingstechnologie wordt de ultrasone frequentie tijdens het reinigingsproces binnen een redelijk bereik heen en weer geveegd, waardoor de reinigingsoplossing een fijne reflux vormt, die snel vuil van het oppervlak van het werkstuk verwijdert terwijl het door het ultrasone geluid wordt afgepeld. , waardoor de reinigingsefficiëntie wordt verbeterd.

Ultrasone reinigingsmethode en de plaatsingsrichting ervan

Plaats de gewassen en gemalen siliciumwafels horizontaal op een hekvormig kwartsstaafframe boven de bodem van de reinigingstank. Onder de voorwaarde dat er sprake is van gedeïoniseerd water en een continue stroom in de reinigingstank, gebruikt u voor het reinigen een ultrasone oscillator die zich op de bodem van de reinigingstank bevindt. De ultrasone frequentie is 40 KHz. Draai de gemalen siliciumwafels elke 5 minuten om en blijf overspoelen totdat er geen zwarte verontreinigende stoffen meer op het oppervlak van de gewassen siliciumwafels verschijnen. De wand van de reinigingstank voor het ultrasoon reinigen van monokristallijne siliciumwafels is uitgerust met een inlaat en uitlaat, en de bodem van de tank is uitgerust met een ultrasone oscillator. In de reinigingstank bevindt zich een frame voor het plaatsen van monokristallijne siliciumwafels. De bodemwand van het frame wordt gevormd door een kwartsstaaf in de vorm van een hek, en het vlak bevindt zich lager dan het niveau van gedeïoniseerd water. Het gehele frame wordt ondersteund door steunpoten in de reinigingstank.

Bij de specifieke uitvoering bedraagt ​​de afstand tussen de kwartsstaaf en de bodemwand van de reinigingstank 15 centimeter. Tijdens het reinigen kan de monokristallijne siliciumwafel plat op een kwartsstaaf worden geplaatst, waardoor de bestaande verticale superwashing wordt vervangen door een vlakke superwashing, waardoor het fenomeen van resterende verontreinigende stoffen die zich ophopen op het oppervlak van de siliciumwafel in de verticale superwashing-toestand wordt geëlimineerd, wat resulteert in een onreine reiniging van lokale gebieden. Bovendien kan de zachte bloemenmand die de siliciumwafel draagt ​​de overdracht van ultrasone golven absorberen en blokkeren, wat resulteert in een onreine reiniging van lokale gebieden op het oppervlak van de siliciumwafel. Het heeft de voordelen van een eenvoudiger structuur en een lager waterverbruik.